近段时间，美国加大对华为的打压力度一事已经众所周知，表面上看，美国打压的是华为，事实上美国却是想压制中国半导体领域的崛起，从而维护自己在全球半导体行业的主导地位。目前来看，笔者认为如果不想继续受制于人，就只有坚持自研这一条路可以走。

但在被美方限制的情况下，中国科技公司自研芯片难如登天，毕竟连中芯国际想要从ASML处购入一台EUV光刻机，都被某些国家从中阻挠。不过，提升芯片制造技术，并非只有利用高端设备精进工艺这一个方法，改善芯片的原材料，也可以在很大程度上提升芯片的性能。

这一点业内人士想必都有所了解，而中国的科研团队更是未雨绸缪，早在二十年前便开始了这方面的研究，如今终于传来好消息。5月下旬，北大教授团队成功突破了半导体的瓶颈，研究出了一种可以替代提升高纯度硅晶片的半导体材料——碳纳米晶体管，而这一研究成功也登上了国际顶级科学期刊《科学》。

据了解，这一新材料是在性能方面能够超越同等栅长硅基CMOS的晶体管，或纯度超99.9999%的碳纳米管平行阵列。这意味着，此后芯片的原材料可能会由硅基改为碳基，而这类碳基芯片不仅性能更强，而且制作成本低，甚至可以节约30%左右的功耗，实用性远超硅基半导体。

值得注意的是，虽然从硅基芯片的制作工艺方面突破可以提升芯片性能，但如今硅基芯片的制作工艺已经被开发到3nm，2nm几乎是极限。想要继续往下突破，难度比改善芯片的原材料还要大，正因如此，一旦北大教授研究团队的成功能够投入商用，国产芯片将有望实现弯道超车。

此外，据笔者了解，集成电路原材料的创新，一直以来都是全球半导体领域的前沿技术，目前很多国家都在这方面遇到了瓶颈。而中国北大教授团队，则率先打破了这一瓶颈，提前达到了世界领先水平，这也会为国产芯片的弯道超车带来更多的信心和底气。

有了“国家队”的帮助，笔者相信我国半导体领域在不远的将来会冲破西方的技术封锁，而中国半导体企业，也将不再受西方掣肘。