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为让国产芯片弯道超车,北大教授研究20年,成功

近段时间,美国加大对华为的打压力度一事已经众所周知,表面上看,美国打压的是华为,事实上美国却是想压制中国半导体领域的崛起,从而维护自己在全球半导体行业的主导地位。目前来看,笔者认为如果不想继续受制于人,就只有坚持自研这一条路可以走。

但在被美方限制的情况下,中国科技公司自研芯片难如登天,毕竟连中芯国际想要从ASML处购入一台EUV光刻机,都被某些国家从中阻挠。不过,提升芯片制造技术,并非只有利用高端设备精进工艺这一个方法,改善芯片的原材料,也可以在很大程度上提升芯片的性能。

这一点业内人士想必都有所了解,而中国的科研团队更是未雨绸缪,早在二十年前便开始了这方面的研究,如今终于传来好消息。5月下旬,北大教授团队成功突破了半导体的瓶颈,研究出了一种可以替代提升高纯度硅晶片的半导体材料——碳纳米晶体管,而这一研究成功也登上了国际顶级科学期刊《科学》。

据了解,这一新材料是在性能方面能够超越同等栅长硅基CMOS的晶体管,或纯度超99.9999%的碳纳米管平行阵列。这意味着,此后芯片的原材料可能会由硅基改为碳基,而这类碳基芯片不仅性能更强,而且制作成本低,甚至可以节约30%左右的功耗,实用性远超硅基半导体。

值得注意的是,虽然从硅基芯片的制作工艺方面突破可以提升芯片性能,但如今硅基芯片的制作工艺已经被开发到3nm,2nm几乎是极限。想要继续往下突破,难度比改善芯片的原材料还要大,正因如此,一旦北大教授研究团队的成功能够投入商用,国产芯片将有望实现弯道超车。

此外,据笔者了解,集成电路原材料的创新,一直以来都是全球半导体领域的前沿技术,目前很多国家都在这方面遇到了瓶颈。而中国北大教授团队,则率先打破了这一瓶颈,提前达到了世界领先水平,这也会为国产芯片的弯道超车带来更多的信心和底气。

有了“国家队”的帮助,笔者相信我国半导体领域在不远的将来会冲破西方的技术封锁,而中国半导体企业,也将不再受西方掣肘。